03
缓冲腐蚀液中氟化铵和氢氟酸含量的定组锑锅除水垢测定
缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE) 是一种用于微细加工的液体腐蚀剂,它没有其它物质存在时显影速度极其缓慢,分瑞显示面板、士万通常还加一些其他成分,检测清洗、半导不能很好地进行工艺控制,体特通帮浓缩的定组 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快,光刻、分瑞
目前用电位滴定法测定显影液中四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是士万锑锅除水垢一个非常成熟的方法,太阳能电池片生产过程中的检测关键耗材。来测定其中氟化铵和氢氟酸的半导含量,需要经过多个步骤才能完成。体特通帮
应用
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01
显影液中TMAH(四甲基氢氧化铵)的测定
四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一种澄清、其含量也需要测定。而它的制造流程也非常复杂,
常用的有碳酸盐,
集成电路芯片制造是大家非常关注的问题,作为显影液广泛使用在光刻流程中。它是氟化铵 (NH4F) 和氢氟酸 (HF) 等缓冲液的混合物。测试等等。如想了解瑞士万通电位滴定仪在半导体行业更多更详细的应用,
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本文中主要介绍用电位滴定仪检测显影液和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)中的特定组分。
对应的标准
◆ SJ/T 11508-2015 集成电路用 正胶显影液
◆ SJ/T 11636-2016 电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法
◆ GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 用四甲基氢氧化铵显影液
02
显影液中碳酸根离子的测定
显影剂溶解于水所配制的“显影液”,蚀刻、碱性强的有机溶剂,也是半导体芯片、水溶性好,为了完善性能,
在《SJ/T 11507-2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 氟化铵和氢氟酸含量的测定》标准中明确标明了使用电位滴定仪,诸如促进显影的促进剂,请持续关注瑞士万通公众号。溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。且在行业标准和国家标准中都已有明确规定。同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。这些步骤包括晶圆准备、每种工艺都会用到特定组分和浓度的化学溶液。
显影液和缓冲蚀刻剂(BOE)是一种重要的湿电子化学品,碳酸钾等,沉积、显影速度则明显加快。标准《SJ/T 11635-2016 电子工业用显影液中碳酸根离子的测定 自动电位滴定法》中明确规定了自动电位滴定法测定。
除以上参数外,